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開(kāi)關(guān)電源電磁兼容設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)總結(jié) !

更新時(shí)間:2023-08-14      點(diǎn)擊次數(shù):518

進(jìn)行開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性設(shè)計(jì)時(shí) ,首先進(jìn)行一個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì) , 明確以下幾點(diǎn):

1. 明確系統(tǒng)要滿(mǎn)足的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn);

2. 確定系統(tǒng)內(nèi)的關(guān)鍵電路部分 ,包括強(qiáng)干擾源電路、高度敏感電路;

3. 明確電源設(shè)備工作環(huán)境中的電磁干擾源及敏感設(shè)備;

4. 確定對(duì)電源設(shè)備所要采取的電磁兼容性措施。


一、DC/DC變換器內(nèi)部噪聲干擾源分析

1.二極管的反向恢復(fù)引起噪聲干擾

在開(kāi)關(guān)電源中常使用工頻整流二極管、高頻整流二極管、續(xù)流二極管等 , 由于這些二極管都工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài) ,如圖所示 ,在二 極管由阻斷狀態(tài)到導(dǎo)通工作過(guò)程中 ,將產(chǎn)生一個(gè)很高的電壓尖峰VFP;在二極管由導(dǎo)通狀態(tài)到阻斷工作過(guò)程中 ,存在一個(gè)反向 恢復(fù)時(shí)間trr,在反向恢復(fù)過(guò)程中 , 由于二極管封裝電感及引線(xiàn)電感的存在 ,將產(chǎn)生一個(gè)反向電壓尖峰VRP, 由于少子的存儲(chǔ)與  復(fù)合效應(yīng) ,會(huì)產(chǎn)生瞬變的反向恢復(fù)電流IRP,這種快速的電流、電壓突變是電磁干擾產(chǎn)生的根源。

 

圖片


電流電壓波形圖

二極管反向恢復(fù)時(shí)電流電壓波形 二極管正向?qū)娏麟妷翰ㄐ?/span>

2.開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生電磁干擾

二極管反向恢復(fù)時(shí)電流電壓波形 二極管正向?qū)娏麟妷翰ㄐ?/span>

在正激式、推挽式、橋式變換器中 ,流過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流波形在阻性負(fù)載時(shí)近似矩形波 ,含有豐富的高頻成分 ,這些高頻諧波會(huì) 產(chǎn)生很強(qiáng)的電磁干擾 ,在反激變換器中 ,流過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流波形在阻性負(fù)載時(shí)近似三角波 ,高次諧波成分相對(duì)較少 。開(kāi)關(guān)管在 開(kāi)通時(shí)  由于開(kāi)關(guān)時(shí)間很短以及逆變回路中引線(xiàn)電感的存在 ,將產(chǎn)生很大的dV/dt突變和很高的尖峰電壓 ,在開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷

時(shí) , 由于關(guān)斷時(shí)間很短 ,將產(chǎn)生很大的di/dt突變和很高的電流尖峰 ,這些電流、電壓突變將產(chǎn)生很強(qiáng)的電磁干擾。

3 電感、變壓器等磁性元件引起的電磁干擾:在開(kāi)關(guān)電源中存在輸入濾波電感、功率變壓器、隔離變壓器、輸出濾波電感等   磁性元件 , 隔離變壓器初次級(jí)之間存在寄生電容 ,高頻干擾信號(hào)通過(guò)寄生電容耦合到次邊;功率變壓器由于繞制工藝等原因 , 原次邊耦合不理想而存在漏感 ,漏電感將產(chǎn)生電磁輻射干擾 ,另外功率變壓器線(xiàn)圈繞組流過(guò)高頻脈沖電流 ,在周?chē)纬筛哳l電 磁場(chǎng); 電感線(xiàn)圈中流過(guò)脈動(dòng)電流會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng)輻射 ,而且在負(fù)載突切時(shí) ,會(huì)形成電壓尖峰 , 同時(shí)當(dāng)它工作在飽和狀態(tài)時(shí) ,將會(huì) 產(chǎn)生電流突變 ,這些都會(huì)引起電磁干擾。

4.控制電路中周期性的高頻脈沖信號(hào)如振蕩器產(chǎn)生的高頻脈沖信號(hào)等將產(chǎn)生高頻高次諧波 ,對(duì)周?chē)娐樊a(chǎn)生電磁干擾。

5.此外電路中還會(huì)有地環(huán)路干擾、公共阻抗耦合干擾 , 以及控制電源噪聲干擾等。

6.開(kāi)關(guān)電源中的布線(xiàn)設(shè)計(jì)非常重要 ,不合理布線(xiàn)將使電磁干擾通過(guò)線(xiàn)線(xiàn)之間的耦合電容和分布互感串?dāng)_或輻射到鄰近導(dǎo)線(xiàn)  ,從而影響其它電路的正常工作。

7.熱輻射產(chǎn)生的電磁干擾 ,熱輻射是以電磁波的形式進(jìn)行熱交換 ,這種電磁干擾影響其它電子元器件或電路的正常穩(wěn)定工 作。

二、外界的電磁干擾

對(duì)于某一 電子設(shè)備 ,外界對(duì)其產(chǎn)生影響的電磁干擾包括: 電網(wǎng)中的諧波干擾、雷電、太陽(yáng)噪聲、靜電放電 , 以及周?chē)母哳l發(fā) 射設(shè)備引起的干擾。

三、電磁干擾的后果

電磁干擾將造成傳輸信號(hào)畸變 ,影響設(shè)備的正常工作 。對(duì)于雷電、靜電放電等高能量的電磁干擾 ,嚴(yán)重時(shí)會(huì)損壞設(shè)備 。而對(duì)于 某些設(shè)備 , 電磁輻射會(huì)引起重要信息的泄漏。

四、開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容設(shè)計(jì)

了解了開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部及外部電磁干擾源后 ,我們還應(yīng)知道 ,形成電磁干擾機(jī)理的三要素是還有傳播途徑和受擾設(shè)備 。因此開(kāi)關(guān) 電源的電磁兼容設(shè)計(jì)主要從以下三個(gè)方面入手: 1,減小干擾源的電磁干擾能量;2,切斷干擾傳播途徑;3,提高受擾設(shè)備的   抗干擾能力。

正確了解和把握開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾源及其產(chǎn)生機(jī)理和干擾傳播途徑 ,對(duì)于采取何種抗干擾措施以使設(shè)備滿(mǎn)足電磁兼容要求非 常重要 。由于干擾源有開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部產(chǎn)生的干擾源和外部的干擾源 ,而且可以說(shuō)干擾源無(wú)法消除 ,受擾設(shè)備也總是存在 , 因此 可以說(shuō)電磁兼容問(wèn)題總是存在。

下面以隔離式DC/DC變換器為例 ,討論開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性設(shè)計(jì):

1. DC/DC變換器輸入濾波電路的設(shè)計(jì)

如圖所示 ,FV1為瞬態(tài)電壓抑制二極管 ,RV1為壓敏電阻 ,都具有很強(qiáng)的瞬變浪涌電流的吸收能力 ,能很好的保護(hù)后級(jí)元件或 電路免遭浪涌電壓的破壞 。Z1為直流EMI濾波器 ,必須良好接地 ,接地線(xiàn)要短 ,最好直接安裝在金屬外殼上 ,還要保證其輸   入、輸出線(xiàn)之間的屏蔽隔離 ,才能有效的切斷傳導(dǎo)干擾沿輸入線(xiàn)的傳播和輻射干擾沿空間的傳播 。L1C1組成低通濾波電

 , 當(dāng)L1電感值較大時(shí) ,還需增加如圖所示的V1R1元件 ,形成續(xù)流回路吸收L1斷開(kāi)時(shí)釋放的電場(chǎng)能 ,否則L1產(chǎn)生的電壓尖 峰就會(huì)形成電磁干擾  電感L1所使用的磁芯最好為閉合磁芯 ,帶氣隙的開(kāi)環(huán)磁芯的漏磁場(chǎng)會(huì)形成電磁干擾 ,C1的容量較大為   ,這樣可以減小輸入線(xiàn)上的紋波電壓 ,從而減小輸入導(dǎo)線(xiàn)周?chē)纬傻碾姶艌?chǎng)。

 

圖片


DC/DC變換器輸入濾波電路

2.高頻逆變電路的電磁兼容設(shè)計(jì) ,如圖所示 ,C2、C3V2、V3組成的半橋逆變電路 ,V2V3IGBT、MOSFET等開(kāi)關(guān)元件  V2、V3開(kāi)通和關(guān)斷時(shí) , 由于開(kāi)關(guān)時(shí)間很快以及引線(xiàn)電感、變壓器漏感的存在  回路會(huì)產(chǎn)生較高的di/dt、dv/dt突變 ,從而形 電磁干擾 ,為此在變壓器原邊兩端增加R4C4構(gòu)成的吸收回路 ,或在V2V3兩端分別并聯(lián)電容器C5、C6并縮短引線(xiàn) ,減

abcd、gh、ef的引線(xiàn)電感 。在設(shè)計(jì)中 ,C4、C5、C6一般采用低感電容  電容器容量的大小取決于引線(xiàn)電感量、回路中電 值以及允許的過(guò)沖電壓值的大小 ,LI2/2=CV2/2公式求得C的大小 ,其中L為回路電感 ,I為回路電流 V為過(guò)沖電壓值。

為減小V,就必須減小回路引線(xiàn)電感值 ,為此在設(shè)計(jì)時(shí)常使用一種叫多層低感復(fù)合母排"的裝置  由我所申請(qǐng)的該種母 排裝置能將回路電感降低到足夠小 ,達(dá)10nH級(jí) ,從而達(dá)到減小高頻逆變回路電磁干擾的目的。

 

圖片


開(kāi)關(guān)管電流、電壓波形比較圖

從電磁兼容性設(shè)計(jì)角度考慮 ,應(yīng)盡量降低開(kāi)關(guān)管V2、V3的開(kāi)關(guān)頻率 ,從而降低di/dt、dv/dt 。另外使用ZCSZVS軟開(kāi)關(guān)變換  技術(shù)能有效降低高頻逆變回路的電磁干擾 。在大電流或高電壓下的快速開(kāi)關(guān)動(dòng)作是產(chǎn)生電磁噪聲的根本 , 因此盡可能選用產(chǎn)生 電磁噪聲小的電路拓?fù)?/span> ,如在同等條件下雙管正激拓?fù)浔葐喂苷ね負(fù)洚a(chǎn)生電磁噪聲要小 ,全橋電路比半橋電路產(chǎn)生電磁噪聲 要小。


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